在这次的财报会议上☆●=▽△◇，梁孟松博士也首次公开了N+1◁◇☆、N+2代工艺的情况■•▲，他说N+1工艺和14nm相比▽■□-▲，性能提升了20%◁=，功耗降低了57%☆◆，逻辑面积缩小了63%☆-▪▼◇▼，SoC面积减少了55%…★…■□▽。

　　从梁孟松的解释来看■=□▪▲，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线nm节点一共发展了三种工艺▼◇▽=▼•，分别是低功耗的N7k8凯发官网△○◁=▽■"◆▷、高性能的N7P=▲•▽◁▲、使用EUV工艺的N7+◇○◇，前两代工艺也没用EUV光刻机▪▷=▷▽，只有N7+工艺上才开始用EUV工艺☆▽…▼▷，不过光罩层数也比较少◁△△=□，5nm节点寸是充分利用EUV光刻工艺的▪★=●★○，达到了14层EUV光罩▼•○■。

　　不过梁孟松也提到了k8凯发官网●▼☆▼"▼☆，N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似▷▼◇▽，但性能不如●■◆，业界标准是提升35%◁△…☆，所以中芯国际的N+1工艺主要开始面向低功耗的☆▽▪★▲。

　　至于备受关注的EUV光刻机○▼△▽■△，梁孟松表示在当前的环境下□★◇…，N+1☆○、N+2代工艺都不会使用EUV工艺••▽=□，等到设备就绪之后○◁▼…，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺●●•□=。

　　区别在于 性能及成本▽□☆，这两种工艺在功耗上表现差不多☆○•○★，代的差距◆△□，所以中芯国际还在发展更新一代的N+1之后还会有N+2●○☆■★，成本也会增加■•○▷。N+2显然是面向高性能的▽•=★…，而且满足不了制造当前最高性能水平的处理器□▪○，

　　7nm级工艺问世时间▽◁△★=，之前的财报中梁孟松提到是在2020年底开始试验产能◆-=▷，线年了△☆▪。

　　中芯国际一直没有明确14nm之后是否跳过10nm工艺▷•☆…◆▪，所以这个N+1到底是10nm还是7nm不能确定◆▲▷★●，但根据上面的说法△▽▷★，N+1基本上可以确定是7nm级别的工艺了☆▲•▽◁，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍△■★▲●，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平-▷★■□，台积电从14nm到7nm也就是提升了1倍的密度▷★○▲▽…。